Вітаємо!

На підставі подання Комітету з Державних премій України в галузі науки і техніки УКАЗОМ  ПРЕЗИДЕНТА  УКРАЇНИ № 979/2009 від 30.11.2009 р. СУКАЧУ Георгію Олексійовичу – професорові, докторові фізико-математичних наук, професорові кафедри фізики Національного університету біоресурсів і природокористування України у складі авторського колективу В.Г.Вербицький, І.М. Вікулін, П.П.Воробієнко, В.М. Годованюк, В.Б. Каток, Ш.Д.Курмашев, В.І.Осінський, І.П.Панфілов, В.В.Рюхтін, Г.О.Сукач за роботу Розробка високоефективних  технологій оптоелектроніки і комунікаційних систем на їх основі» присуджено Державну премію України в галузі науки і техніки 2009 року.

В робота вирішена важлива науково-технічна проблема, яка відноситься до створення сучасної елементної бази оптоелектронних систем і мереж обробки  та прийому-передачі інформації. В її основу покладено 13 докторських та 72 кандидатських дисертації, 18 монографій, більше 400 наукових статей та понад 100 патентів.  Вона охоплює наукові та технологічні, практичні та економічні аспекти проблеми 1)фотоприймачів, 2)джерел випромінювання та 3)оптичного волокна.

Найбільш важливим науковим та практичним результатом роботи є запропонований та реалізований авторами комплекс низькотемпературних (газофазних та радикало-променевих, іонних та іонно-плазмових) технологій (більшість з яких запатентована) багатокомпонентних сполук елементів III та V груп (типу GaInAsP), в яких вперше виявлено високоефективне випромінювання, в т.ч. в квантово-розмірних гетероструктурах, що дозволило реалізувати світлодіоди, інжекційні лазери та фотоприймачі в нових спектральних діапазонах. Світовий пріоритет мають розроблені авторами теорія інжекційного підсилення p-i-n-структур та інжекційні фотодіоди, чутливість яких в 102-104 разів вища, ніж у звичайних фотодіодів.

В роботі вперше запропоновано та реалізовано фізико-технологічні методи стримування деградації та керування випромінювальними, електрофізичними і геометричними параметрами  сучасних оптоелектронних приладів з використанням як технологічних факторів, так і зовнішніх посттехнологічних дій (опромінення потоками високоенергетичних квантових частинок). Перспективними є також вузькосмугові фотоприймачі на основі гетероструктур GaAlAs/GaAs, шириною спектральної смуги та величиною фоточутливості яких можна управляти варіацією фізико-технологічних режимів.

Виконані фундаментальні теоретичні та експериментальні дослідження привели до організації серійного випуску цілої гами високотехнологічних фотодетекторів та фоторезисторів, світлодіодів і матриць потужних суперлюмінесцентних світлодіодів та сертифікованих дорожніх світлофорів на їх основі, нових типів оптичного волокна для оптичних систем зв’язку, які мають підвищені функціональні параметри, високу надійність, стабільність та завадозахищеність.Тільки підтверджений в роботі економічний ефект від впроваджень запропонованих авторами розробок складає величину більшу 20 млн. грн. на рік.

Робота має потужний експорт (Китай, Канада тощо) -  прибуток України від експорту високотехнологічних фотоприймачів та фотоприймальних пристроїв на їх основі за останні два роки склав 30 млн. доларів США.

Цінність роботи пов’язана не тільки з перерахованими вище досягненнями і перевагами, але й з створенням основ подальшого розвитку перспективних напрямів сучасної нанорозмірної оптоелектроніки.